サムスン電子が「１Ｔｂ（テラビット）ＴＬＣ（Ｔｒｉｐｌｅ Ｌｅｖｅｌ Ｃｅｌｌ）第９世代ＶNAND」の量産を開始した。
サムスン電子は２３日、「ダブルスタック」構造で実装可能な最高単数製品である第９世代ＶNANDを量産すると明らかにした。
第９世代ＶNANDは、現在の主力製品である２３６段の第８世代ＶNANDに続く製品で、２９０段レベルであることが分かった。
ダブルスタックは、NANDフラッシュを２回にわたる「チャンネルホールエッチング」で分けて穴を開けた後、一つのチップに結合する方法を意味する。
サムスン電子は、チャンネルホールエッチング技術を通じて、一度に業界最大の単数を貫通する工程革新で生産性を高めたと説明した。
チャンネルホールエッチングは、金型層を順次積み重ねた後、一度に電子が移動する穴（チャンネルホール）を作る技術で、積層単数が高くなり、一度に多く穴を開けるほど生産効率が上がるため、精巧化・高度化が求められる。
実際、ＮＡＮＤの積層競争が激化するにつれて、積層プロセス技術力の重要性も高まっている。Ｖ－ＮＡＮＤのコスト競争力は、最小限の工程で単数を積み上げることが核心で、スタック数が少ないほど経なければならない工程数も減るため、時間とコストを削減することができ、競争力が高い。
サムスン電子は、業界最小サイズのセル（Ｃｅｌｌ）、最小のモールド（Ｍｏｌｄ）厚さを実現し、「１Ｔｂ ＴＬＣ第９世代ＶNAND」のビット密度（単位面積当たりに保存されるビット数）を前世代に比べて約１．５倍増加させた。
ダミーチャネルホール（Ｄｕｍｍｙ Ｃｈａｎｎｅｌ Ｈｏｌｅ）除去技術でセルの平面積を縮小し、セルのサイズを縮小することで発生する干渉現象を制御するため、セル干渉回避技術、セル寿命延長技術を適用し、製品の品質と信頼性を向上させた。
第９世代ＶNANDは、次世代NANDフラッシュインターフェースである「トグル（Ｔｏｇｇｌｅ） ５．１」が適用され、第８世代ＶNANDに比べて３３％向上した最大３．２Ｇｂｐｓ（毎秒ギガビット）のデータ入出力速度を実現した。
サムスン電子は、これを基盤にＰＣＩｅ ５．０インターフェースをサポートし、高性能ＳＳＤ市場を拡大し、ＮＡＮＤフラッシュ技術のリーダーシップを強化する計画だ。
これとともに、第９世代ＶNANDは低電力設計技術を搭載し、前世代製品に比べて消費電力が約１０％改善された。
サムスン電子は今年下半期に「ＱＬＣ（Ｑｕａｄ Ｌｅｖｅｌ Ｃｅｌｌ）第９世代ＶNAND」を量産するなど、ＡＩ時代に要求される大容量・高性能NAND開発に拍車をかける計画だ。
サムスン電子メモリ事業部フラッシュ（Ｆｌａｓｈ）開発室長（副社長）のホ・ソンホ（Ｈｅ Ｓｕｎｇｈｏｅ）氏は、「NANDフラッシュ製品の世代が進化するほど、大容量・高性能製品に対する顧客のニーズ（要求）が高まっており、極限の技術革新を通じて生産性と製品競争力を高めた」とし、「第９世代ＶNANDを通じ、ＡＩ時代に対応する超高速・超高容量ＳＳＤ市場をリードしていく」と述べた。
