昭和電工は３日、パワー半導体の材料である炭化ケイ素（ＳｉＣ）エピタキシャルウェハー（エピウェハー）の高品質グレードエピウェハー「ハイグレードエピ（ＨＧＥ）」の生産能力をさらに引き上げると発表した。需要が急増するＳｉＣパワー半導体市場に対応するため、秩父事業所で生産設備を増強。１９年２月には、生産能力を３割増の月産９千枚まで高め、需要の獲得を急ぐ。
ＳｉＣパワー半導体は、現在主流のＳｉ（シリコン）製に比べ耐高温・耐電圧・大電流特性に優れた半導体で、電力制御に用いるモジュールの軽量・小型化と省エネルギー化に貢献することから、次世代パワー半導体として注目されている。新エネルギーの分散型電源やデータセンターのサーバー用電源、鉄道車両のインバータモジュールに加え、急速に伸長する電気自動車市場においても、車載充電器や急速充電スタンドでＳｉＣパワー半導体への切り替えが進んでいる。
昭和電工のＳｉＣエピウェハー事業は、業界最高水準であるＨＧＥの欠陥密度の低さと高い均一性において高評価を得ており、２０１７年９月と１８年１月の２回にわたって生産能力の引き上げを決めていた。しかしながらパワー半導体市場の急成長に伴うユーザーからの旺盛な需要に対応するためさらなる投資を決定した。
