【韓国】サムスンのDRAM量産、EUVを初導入[IT]

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サムスン電子は25日、業界で初めて、最先端の極端紫外線(EUV)露光装置を用いたDRAMの量産体制を構築したと発表した。次世代のDRAM製品からは、EUVを使った製造工程を全面的に導入する考え。

同社はこのほど、回路線幅が10ナノ(ナノは10億分の1)メートル台の第1世代(1x)工程で、EUV工程を適用して製造したDDR4型のDRAMモジュール品100万個以上を顧客に供給したという。

韓国メディアによると、同社は昨年9月に10ナノ級の第3世代(1z)工程でDRAMの量産を開始した後、微細化の限界にぶつかり、EUVの導入を急いでいたという。

現在は、第4世代(1a)工程へのEUVの導入を進めており、量産に成功すれば12インチウエハー当たりの生産性は1世代の2倍になるという。

サムスン電子がEUV露光装置を用いて製造した第1世代10ナノ級DDR4 DRAM製品=韓国(サムスン電子提供)